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PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
13.8
14.8
写入速度,GB/s
8.4
10.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2740
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
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