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PNY Electronics PNY 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
78
左右 65% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
78
读取速度,GB/s
13.8
14.5
写入速度,GB/s
8.4
7.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1602
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
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