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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
13.8
11.7
写入速度,GB/s
8.4
6.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1763
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
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