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PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
46
左右 41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.1
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
46
读取速度,GB/s
13.8
11.6
写入速度,GB/s
8.4
9.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2571
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
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Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
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