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PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
49
左右 45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
10.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
49
读取速度,GB/s
13.8
10.8
写入速度,GB/s
8.4
7.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2324
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB RAM的比较
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
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Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
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