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PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
68
左右 60% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
68
读取速度,GB/s
13.8
16.2
写入速度,GB/s
8.4
8.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1812
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
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