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PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
13.8
15.1
写入速度,GB/s
8.4
10.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2819
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
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Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
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