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PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
27
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
22
读取速度,GB/s
13.8
21.0
写入速度,GB/s
8.4
19.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
4240
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
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