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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
38
左右 -90% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
20
读取速度,GB/s
16.7
19.0
写入速度,GB/s
10.0
15.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2939
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
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