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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
27
读取速度,GB/s
16.7
18.0
写入速度,GB/s
10.0
15.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3419
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
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