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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
38
左右 -15% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
33
读取速度,GB/s
16.7
15.3
写入速度,GB/s
10.0
11.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2697
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
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Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
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