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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Kingston XN205T-HYD2 16GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Kingston XN205T-HYD2 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
Kingston XN205T-HYD2 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
28
读取速度,GB/s
16.7
17.5
写入速度,GB/s
10.0
16.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3773
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
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