RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
需要考虑的原因
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
38
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
22
读取速度,GB/s
16.7
16.8
写入速度,GB/s
10.0
14.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3296
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link