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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
比较
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
总分
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
总分
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,069.2
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
106
左右 -221% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
106
33
读取速度,GB/s
3,273.7
15.0
写入速度,GB/s
2,069.2
10.6
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
734
2686
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
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Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
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