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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
比较
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Kingston 9905663-008.A00G 16GB
总分
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
总分
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
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Kingston 9905663-008.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
42
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
35
读取速度,GB/s
13.2
14.7
写入速度,GB/s
7.8
11.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2001
2815
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
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