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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
16.1
17.4
写入速度,GB/s
10.1
14.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3393
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB RAM的比较
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
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