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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
38
左右 34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.5
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
38
读取速度,GB/s
16.1
15.0
写入速度,GB/s
10.1
11.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3003
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
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