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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
39
左右 36% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
39
读取速度,GB/s
16.1
16.5
写入速度,GB/s
10.1
14.1
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3177
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
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