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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.8
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
16.1
20.8
写入速度,GB/s
10.1
16.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3773
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
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