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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Jinyu 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Jinyu 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Jinyu 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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需要考虑的原因
Jinyu 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
25
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Jinyu 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
21
读取速度,GB/s
16.1
17.3
写入速度,GB/s
10.1
12.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3209
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Jinyu 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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