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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.3
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
37
读取速度,GB/s
16.1
15.4
写入速度,GB/s
10.1
11.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2765
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C14/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
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