RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
37
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
37
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2765
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston KP223C-ELD 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link