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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
37
En 32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
37
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2765
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
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