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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
31
读取速度,GB/s
16.1
16.5
写入速度,GB/s
10.1
13.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2967
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
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SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
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