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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
16.1
16.2
写入速度,GB/s
10.1
12.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2950
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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