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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
62
左右 60% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.1
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
16.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
62
读取速度,GB/s
16.1
16.7
写入速度,GB/s
10.1
7.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
1808
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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