RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
需要考虑的原因
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
23
读取速度,GB/s
16.1
17.2
写入速度,GB/s
10.1
12.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3017
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link