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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
37
读取速度,GB/s
16.1
15.6
写入速度,GB/s
10.1
12.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2314
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
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