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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
16.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
23
读取速度,GB/s
16.1
16.4
写入速度,GB/s
10.1
8.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2532
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Jinyu 16GB
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