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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
57
左右 56% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.1
9.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.1
16.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
57
读取速度,GB/s
16.1
20.1
写入速度,GB/s
10.1
9.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2328
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
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