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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
43
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
34
读取速度,GB/s
14.9
16.1
写入速度,GB/s
9.6
13.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3047
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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