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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
43
左右 -48% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.2
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
29
读取速度,GB/s
14.9
13.5
写入速度,GB/s
9.6
10.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2088
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB RAM的比较
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
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