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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
48
左右 10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
48
读取速度,GB/s
14.9
11.5
写入速度,GB/s
9.6
8.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2453
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
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