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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
59
左右 -103% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
29
读取速度,GB/s
4,833.8
17.7
写入速度,GB/s
2,123.3
13.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3321
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston 99U5474-036.A00LF 4GB
Kingston 99P5471-011.A00LF 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
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