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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
59
左右 -111% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
28
读取速度,GB/s
4,833.8
12.9
写入速度,GB/s
2,123.3
10.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2846
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
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