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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9965604-001.D00G 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
59
左右 -69% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
35
读取速度,GB/s
4,833.8
10.5
写入速度,GB/s
2,123.3
8.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2353
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
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Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
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