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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
69
左右 -138% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.2
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
29
读取速度,GB/s
4,217.2
16.6
写入速度,GB/s
1,857.7
15.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3629
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
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