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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
69
左右 -146% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.7
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
28
读取速度,GB/s
4,217.2
18.4
写入速度,GB/s
1,857.7
14.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3525
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
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