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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
69
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.6
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
35
读取速度,GB/s
4,217.2
15.1
写入速度,GB/s
1,857.7
9.6
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2502
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
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Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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