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Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
比较
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB vs Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
总分
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
54
左右 -74% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.5
1,926.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
31
读取速度,GB/s
4,419.9
19.9
写入速度,GB/s
1,926.6
14.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
662
3357
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
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