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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
58
左右 -152% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.4
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
23
读取速度,GB/s
4,241.0
18.2
写入速度,GB/s
1,950.7
14.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2830
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
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