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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
58
左右 -152% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.9
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
23
读取速度,GB/s
4,241.0
15.9
写入速度,GB/s
1,950.7
11.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2782
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
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DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
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