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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
58
左右 -93% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.2
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
30
读取速度,GB/s
4,241.0
15.5
写入速度,GB/s
1,950.7
12.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3272
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
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