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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
58
左右 -57% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.3
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
37
读取速度,GB/s
4,241.0
21.4
写入速度,GB/s
1,950.7
14.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3448
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CAS Latency (CL) *
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
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Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
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