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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
58
左右 -107% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.8
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
28
读取速度,GB/s
4,241.0
18.3
写入速度,GB/s
1,950.7
15.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3535
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
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