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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
58
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.2
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
29
读取速度,GB/s
4,241.0
18.4
写入速度,GB/s
1,950.7
14.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3584
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
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