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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
58
左右 -132% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.9
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
25
读取速度,GB/s
4,241.0
21.6
写入速度,GB/s
1,950.7
16.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3994
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
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Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
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