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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
58
左右 -132% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.9
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
25
读取速度,GB/s
4,241.0
21.6
写入速度,GB/s
1,950.7
16.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3994
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
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