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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
58
左右 -152% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.3
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
23
读取速度,GB/s
4,241.0
17.3
写入速度,GB/s
1,950.7
13.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3072
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
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