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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
58
左右 -76% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.8
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
33
读取速度,GB/s
4,241.0
16.2
写入速度,GB/s
1,950.7
13.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3209
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
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