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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
58
左右 -107% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.9
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
28
读取速度,GB/s
4,241.0
17.9
写入速度,GB/s
1,950.7
14.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3460
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
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